AO3400 SOT23 LGE

Symbol Micros: TAO3400 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 50Ohm; 5,8A; 1,4 W; -55°C~150°C; LGE3400
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 50Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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