AO3407

Symbol Micros: TAO3407 c

Gehäuse: SOT23

Transistor MOSFET; SOT-23-3L; P-Channel; NO ESD; -30V; -4.1A; 1.4W; -1.5V; 48mOhm; 60mOhm AO3407; DMP3056L; G3035 GOFORD

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	48mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Widerstand im offenen Kanal:	48mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD