G3035L

Symbol Micros: TAO3407 GO

Gehäuse: SOT23-3

MOSFET-Transistor; SOT-23-3L; P-Channel; NO ESD; -30V; -4,1A; 1,4 W; -1,5 V; 48 m?; 60 m? AO3407; DMP3056L; G3035 GOFORD

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD