AO3413A UMW

Symbol Micros: TAO3413a UMW
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Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 80mOhm; 3A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3413 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AO3413A RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1617 0,0769 0,0433 0,0327 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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