AO3419 JSMICRO

Symbol Micros: TAO3419 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 110mOhm; 4,2A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3419 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: AO3419 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1488 0,0595 0,0346 0,0289 0,0270
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD