G2312
Symbol Micros:
TAO3420 GO
Gehäuse: SOT23
MOSFET-Transistor; SOT-23; N-Channel; NO ESD; 20V; 5A; 1,25 W; 0,7; V; 12m?; 13m? AO3420; DMG3414U
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
Max. Drainstrom: | 5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | GOFORD |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
Max. Drainstrom: | 5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | GOFORD |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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