G2312

Symbol Micros: TAO3420 GO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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MOSFET-Transistor; SOT-23; N-Channel; NO ESD; 20V; 5A; 1,25 W; 0,7; V; 12m?; 13m? AO3420; DMG3414U
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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