AO3420 HXY MOSFET

Symbol Micros: TAO3420 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 6,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3420 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: AO3420 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1796 0,0719 0,0418 0,0348 0,0326
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD