AO3420 HXY MOSFET
Symbol Micros:
TAO3420 HXY
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 6,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3420 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 6,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 6,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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