4435

Symbol Micros: TAO4435 GO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -30V; -11A; 2,5 W; -1,4 V; 12m?; 18m? AO4435; DMG4435SSS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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