AO4447A UMW

Symbol Micros: TAO4447a UMW
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Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO4447A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,2mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AO4447A RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5567 0,3368 0,2596 0,2335 0,2222
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 8,2mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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