AOB290L Alpha&Omega

Symbol Micros: TAOB290L

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 5,7 mOhm; 140A; 500 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,7mOhm
Max. Drainstrom:	140A
Maximaler Leistungsverlust:	500W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	5,7mOhm
Max. Drainstrom:	140A
Maximaler Leistungsverlust:	500W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD