AOD1N60

Symbol Micros: TAOD1n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD