AOD1N60
Symbol Micros:
TAOD1n60
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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