AOD2N60

Symbol Micros: TAOD2n60
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Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,4 Ohm; 2A; 56,8 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 56,8W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD2N60 Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
37500 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,3093
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 56,8W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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