AOD2N60

Symbol Micros: TAOD2n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,4 Ohm; 2A; 56,8 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 56,8W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD2N60 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7178 0,4547 0,3577 0,3254 0,3116
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD2N60 Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
35000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3116
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 56,8W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD