AOD3N50
Symbol Micros:
TAOD3n50
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 3Ohm; 2,8A; 57W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
| Max. Drainstrom: | 2,8A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOD3N50 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Auf Lager:
80 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3295 | 0,1820 | 0,1431 | 0,1325 | 0,1271 |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOD3N50
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2123 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
| Max. Drainstrom: | 2,8A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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