AOD3N50

Symbol Micros: TAOD3n50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 3Ohm; 2,8A; 57W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Max. Drainstrom: 2,8A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD3N50 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3295 0,1820 0,1431 0,1325 0,1271
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD3N50 Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2123
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Max. Drainstrom: 2,8A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD