AOD3N60
Symbol Micros:
TAOD3n60
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 3,5 Ohm; 2,5A; 56,8 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56,8W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ALPHA
Hersteller-Teilenummer: AOD3N60 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5863 | 0,3546 | 0,2719 | 0,2459 | 0,2340 |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOD3N60
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
7500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2426 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56,8W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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