AOD409 TO252 TECH PUBLIC

Symbol Micros: TAOD409 TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 62mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: AOD409 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3837 0,2519 0,1812 0,1553 0,1477
Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 62mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD