AOD409 TO252-2L(T/R) XBLW

Symbol Micros: TAOD409 XBLW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 50A; 52,1W; -55°C ~ 150°C; AOD409(XBLW);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 52,1W
Gehäuse: TO252
Hersteller: XBLW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 52,1W
Gehäuse: TO252
Hersteller: XBLW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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