AOD409 TO252-2L(T/R) XBLW

Symbol Micros: TAOD409 XBLW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 50A; 52,1W; -55°C ~ 150°C; AOD409(XBLW);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 52,1W
Gehäuse: TO252
Hersteller: XBLW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: XBLW Hersteller-Teilenummer: AOD409 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,4391 0,2872 0,2068 0,1771 0,1685
Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 52,1W
Gehäuse: TO252
Hersteller: XBLW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD