AOD4130
 Symbol Micros:
 
 TAOD4130 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
 
 
 
 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 30mOhm; 30A; 52W; -55°C~175°C; 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 30A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 52W | 
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) t/r | 
| Hersteller: | UMW | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V | 
| Transistor-Typ: | N-MOSFET | 
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 30A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 52W | 
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) t/r | 
| Hersteller: | UMW | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V | 
| Transistor-Typ: | N-MOSFET | 
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V | 
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C | 
| Montage: | SMD | 
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