AOD413A

Symbol Micros: TAOD413a

Gehäuse: TO252 (DPAK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 66mOhm; 12A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	66mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	66mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD