TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC

Symbol Micros: TAOD417 TWG
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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30V 35A 4W 1.5V@250uA TO-252-2L Single FETs, MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 4W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TWGMC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: TWGMC Hersteller-Teilenummer: TW40P03D RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,3063 0,1998 0,1471 0,1267 0,1179
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 4W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TWGMC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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