AOD4189
Symbol Micros:
TAOD4189
Gehäuse: TO252
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 33mOhm; 40A; 62,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 33mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOD4189 RoHS
Gehäuse: TO252t/r
Auf Lager:
3924 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4917 | 0,2979 | 0,2286 | 0,2061 | 0,1962 |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOD4189
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1962 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 33mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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