AOD442

Symbol Micros: TAOD442
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 37mOhm; 37A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 37mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD442 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8808 0,5590 0,4392 0,4016 0,3829
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 37mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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