AOD450

Symbol Micros: TAOD450
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 1,32 Ohm; 3,8A; 25W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,32Ohm
Max. Drainstrom: 3,8A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD450 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7485 0,4749 0,3743 0,3415 0,3251
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,32Ohm
Max. Drainstrom: 3,8A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD