AOD468

Symbol Micros: TAOD468
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 30V; 420mOhm; 11,5A; 150W; -50°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 420mOhm
Max. Drainstrom: 11,5A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 420mOhm
Max. Drainstrom: 11,5A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 175°C
Montage: SMD