AOD4N60

Symbol Micros: TAOD4n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2,3 Ohm; 4A; 104 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD4N60 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2284 0,9372 0,7751 0,6788 0,6459
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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