AOD4N60

Symbol Micros: TAOD4n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2,3 Ohm; 4A; 104 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD4N60 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2364 0,9432 0,7801 0,6832 0,6501
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole