AOD5N50

Symbol Micros: TAOD5n50

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 1,6 Ohm; 5A; 104 W; -50 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,6Ohm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD5N50 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

65 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5721	0,3593	0,2979	0,2648	0,2482

Widerstand im offenen Kanal:	1,6Ohm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 150°C
Montage:	SMD