AOD603A

Symbol Micros: TAOD603a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252/5-2
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm/180mOhm; 12A; 27W/42,5W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 42,5W
Gehäuse: TO252/5-2
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: ALPHA Hersteller-Teilenummer: AOD603A RoHS Gehäuse: TO252/5-2 Datenblatt
Auf Lager:
31 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6297 0,3956 0,3277 0,2926 0,2739
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 42,5W
Gehäuse: TO252/5-2
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD