AOD609

Symbol Micros: TAOD609
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Gehäuse: TO252/5-2
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 46mOhm/66mOhm; 12A; 27W/30W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO252/5-2
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD609 RoHS Gehäuse: TO252/5-2  
Auf Lager:
56 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8029 0,5033 0,4190 0,3722 0,3488
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO252/5-2
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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