AOI4185

Symbol Micros: TAOI4185
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Gehäuse: TO251A
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TO251A
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOI4185 RoHS Gehäuse: TO251A  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 90+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,7289 0,4556 0,3759 0,3371 0,3166
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Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOI4185 RoHS Gehäuse: TO251A  
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
Nettopreis (EUR) 0,7289 0,5399 0,3986 0,3440 0,3166
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Standard-Verpackung:
70
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TO251A
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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