AOK60B65H2AL

Symbol Micros: TAOK60b65h2al
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 416W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor-Typ: IGBT
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 416W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor-Typ: IGBT
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT