G66

Symbol Micros: TAON2403 GO

Gehäuse: DFN06

MOSFET-Transistor; DFN2*2-6L; P-Channel; NO ESD; -16V; -5,8A; 1,7 W; -0,7V; ; 32m?~45m?; AON2403; 1216D2 GOFORD; G69A GOFORD

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	DFN06
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	16V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	DFN06
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	16V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD