G12P03D3
Symbol Micros:
TAON3419 GO
Gehäuse: DFN08(3x3)
MOSFET-Transistor; DFN3*3-8L; P-Channel; NO ESD; 30V; 12A; 30W; 1.6V; 26mOhm AON3419
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 26mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | DFN08(3x3) |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 26mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | DFN08(3x3) |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole