AON6512

Symbol Micros: TAON6512
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 1,7 mOhm; 150A; 83W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,7mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6512 RoHS Gehäuse: DFN08  
Auf Lager:
2940 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 25+
Nettopreis (EUR) 0,6572 0,4514 0,2853
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 1,7mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD