AONR66820

Symbol Micros: TAONR66820
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Transistor N-Kanal MOSFET; 80V; 20V; 8,8mOhm; 50A; 104W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,8mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: DFN-EP8(3,3x3,3)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 8,8mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: DFN-EP8(3,3x3,3)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD