AONR66820

Symbol Micros: TAONR66820

Gehäuse:

Transistor N-Kanal MOSFET; 80V; 20V; 8,8mOhm; 50A; 104W; -55°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8,8mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	DFN-EP8(3,3x3,3)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	8,8mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	DFN-EP8(3,3x3,3)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD