AONR66820
Symbol Micros:
TAONR66820
Gehäuse:
Transistor N-Kanal MOSFET; 80V; 20V; 8,8mOhm; 50A; 104W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 8,8mOhm |
Max. Drainstrom: | 50A |
Maximaler Leistungsverlust: | 104W |
Gehäuse: | DFN-EP8(3,3x3,3) |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 8,8mOhm |
Max. Drainstrom: | 50A |
Maximaler Leistungsverlust: | 104W |
Gehäuse: | DFN-EP8(3,3x3,3) |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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