AONS21357

Symbol Micros: TAONS21357
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -36A; 19W; DFN5x6
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,8mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 19W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AONS21357 Gehäuse: DFN08  
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,8mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 19W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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