AONS66811

Symbol Micros: TAONS66811
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Transistor N-Kanal MOSFET; 80V; 20V; 2,5mOhm; 287A; 365W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5mOhm
Max. Drainstrom: 287A
Maximaler Leistungsverlust: 365W
Gehäuse: DFN5x6
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,5mOhm
Max. Drainstrom: 287A
Maximaler Leistungsverlust: 365W
Gehäuse: DFN5x6
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD