AOT10B60D
Symbol Micros:
TAOT10b60d
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 17,4nC |
| Maximale Verlustleistung: | 163W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom: | 10A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,6V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOT10B60D RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
13 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2364 | 0,9449 | 0,7804 | 0,6840 | 0,6511 |
| Gate-Ladung: | 17,4nC |
| Maximale Verlustleistung: | 163W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom: | 10A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,6V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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