AOT12N50

Symbol Micros: TAOT12n50

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 520 mOhm; 12A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	520mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-12-30

Anzahl Stück: 50

Widerstand im offenen Kanal:	520mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT