AOT12N60

Symbol Micros: TAOT12n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 550 mOhm; 12A; 278W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT12N60 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5532 1,0874 0,9078 0,8463 0,8179
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25/100
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole