AOT2910L

Symbol Micros: TAOT2910l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 43mOhm; 30A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT2910L RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1509 0,8448 0,6767 0,5801 0,5478
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT