AOT410L

Symbol Micros: TAOT410l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 11mOhm; 150A; 333W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 333W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT410L RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9317 1,5421 1,3189 1,1845 1,1367
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT410L RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9317 1,4282 1,2460 1,1572 1,1276
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 333W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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