AOT414

Symbol Micros: TAOT414
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 43mOhm; 43A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT414 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9691 0,7109 0,5714 0,4891 0,4617
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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