AOTF11N70

Symbol Micros: TAOTF11n70
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 870 mOhm; 11A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 870mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 870mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT