AOTF11S65L
Symbol Micros:
TAOTF11s65l
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET 650V 11A
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 399mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 198W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | aMOS |
| Widerstand im offenen Kanal: | 399mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 198W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | aMOS |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole