AOTF12N60
Symbol Micros:
TAOTF12n60
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 550 mOhm; 12A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 12A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOTF12N60 RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,4892 | 1,0429 | 0,8348 | 0,8117 | 0,7839 |
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 12A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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