AOTF12N60FD

Symbol Micros: TAOTF12n60fd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 650 mOhm; 12A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 650mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF12N60FD RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5206 1,1617 0,9610 0,8430 0,8005
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 650mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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