AOTF4185

Symbol Micros: TAOTF4185
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 23mOhm; 34A; 33W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 34A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: AD - Analog Devices Hersteller-Teilenummer: AOTF4185 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0637 0,7816 0,6267 0,5365 0,5064
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 34A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT