AOTF7N65

Symbol Micros: TAOTF7n65
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,56 Ohm; 7A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,56Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF7N65 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1906 0,8281 0,6901 0,6596 0,6269
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Standard-Verpackung:
25/50
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF7N65 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1860 0,9053 0,7485 0,6573 0,6246
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,56Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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