AOTF7N65

Symbol Micros: TAOTF7n65

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,56 Ohm; 7A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,56Ohm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	38,5W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF7N65 RoHS Gehäuse: TO220iso

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40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2020	0,8827	0,7090	0,6080	0,5728

Widerstand im offenen Kanal:	1,56Ohm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	38,5W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT