AOTF8N80

Symbol Micros: TAOTF8n80
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,63 Ohm; 7,4A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,63Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Max. Drainstrom: 7,4A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,63Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Max. Drainstrom: 7,4A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT