AOTF9N90

Symbol Micros: TAOTF9n90
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 9A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF9N90 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5112 1,1531 0,9532 0,8370 0,7951
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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