AOTS21313C

Symbol Micros: TAOTS21313C
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; +/-20V; 32mOhm; 7,3A; 2,7 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,7W
Gehäuse: SOT-457
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,7W
Gehäuse: SOT-457
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD